
P10F50HP2-5600 SHINDENGEN


Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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26+ | 2.75 EUR |
48+ | 1.49 EUR |
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Technische Details P10F50HP2-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Hi-PotMOS2, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, Power dissipation: 79W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.75Ω, Mounting: THT, Gate charge: 20nC, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 40A, Kind of package: bulk, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote P10F50HP2-5600 nach Preis ab 2.75 EUR bis 2.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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P10F50HP2-5600 | Hersteller : SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 79W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 40A Kind of package: bulk |
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P10F50HP2-5600 | Hersteller : Shindengen |
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