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P10F50HP2-5600

P10F50HP2-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5937F2F8EA0C7&compId=P10F50HP2.pdf?ci_sign=6a66520b016d6e193fd843a0e1275fbd67edd1fa Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Technische Details P10F50HP2-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Case: FTO-220AG (SC91), Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, On-state resistance: 0.75Ω, Power dissipation: 79W, Polarisation: unipolar, Kind of package: bulk, Gate charge: 20nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P10F50HP2-5600 P10F50HP2-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5937F2F8EA0C7&compId=P10F50HP2.pdf?ci_sign=6a66520b016d6e193fd843a0e1275fbd67edd1fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
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