
P10F50HP2-5600 SHINDENGEN


Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: FTO-220AG (SC91)
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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30+ | 2.39 EUR |
47+ | 1.52 EUR |
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Technische Details P10F50HP2-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Case: FTO-220AG (SC91), Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, On-state resistance: 0.75Ω, Power dissipation: 79W, Polarisation: unipolar, Kind of package: bulk, Gate charge: 20nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote P10F50HP2-5600 nach Preis ab 2.39 EUR bis 2.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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P10F50HP2-5600 | Hersteller : SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: FTO-220AG (SC91) Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A |
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P10F50HP2-5600 | Hersteller : Shindengen |
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