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P10F60HP2-5600

P10F60HP2-5600 SHINDENGEN

_Shindengen Catalogue 2020.pdf P10F60HP2.pdf Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details P10F60HP2-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W, Case: FTO-220AG (SC91), Mounting: THT, Kind of package: bulk, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, On-state resistance: 0.8Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 85W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
P10F60HP2-5600 P10F60HP2-5600 Hersteller : SHINDENGEN _Shindengen Catalogue 2020.pdf P10F60HP2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
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75+ 0.96 EUR
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P10F60HP2-5600 Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. P10F60HP2-5600
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P10F60HP2-5600 P10F60HP2-5600 Hersteller : Shindengen shins04488_1-2282016.pdf MOSFET Mosfet
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