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P10F60HP2-5600

P10F60HP2-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C59612293D20C7&compId=P10F60HP2.pdf?ci_sign=17eb589c2b8312c153bb28c839abad645fc76968 Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Technische Details P10F60HP2-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Hi-PotMOS2, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Power dissipation: 85W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: THT, Gate charge: 23nC, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 40A, Kind of package: bulk, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P10F60HP2-5600 nach Preis ab 0.97 EUR bis 1.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P10F60HP2-5600 P10F60HP2-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C59612293D20C7&compId=P10F60HP2.pdf?ci_sign=17eb589c2b8312c153bb28c839abad645fc76968 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: bulk
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P10F60HP2-5600 Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. P10F60HP2-5600
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P10F60HP2-5600 P10F60HP2-5600 Hersteller : Shindengen shins04488_1-2282016.pdf MOSFETs Mosfet
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