P126FP10SN-5071 SHINDENGEN
Hersteller: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 504A
Power dissipation: 238W
Gate charge: 160nC
Technology: EETMOS3
Drain current: 126A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: FP (SC83 similar)
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
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Technische Details P126FP10SN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 504A, Power dissipation: 238W, Gate charge: 160nC, Technology: EETMOS3, Drain current: 126A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: FP (SC83 similar), On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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P126FP10SN-5071 | Hersteller : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 504A Power dissipation: 238W Gate charge: 160nC Technology: EETMOS3 Drain current: 126A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: FP (SC83 similar) On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| P126FP10SN-5071 | Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. | P126FP10SN-5071 |
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