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P12F60HP2-5600

P12F60HP2-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C59B211A4300C7&compId=P12F60HP2.pdf?ci_sign=57f68a10a4049d6e85d2fc29f3bd9340fa0c1a22 Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
67+1.07 EUR
74+0.97 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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Technische Details P12F60HP2-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 48A, Power dissipation: 90W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 670mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 26.5nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Technology: Hi-PotMOS2, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P12F60HP2-5600 nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P12F60HP2-5600 P12F60HP2-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C59B211A4300C7&compId=P12F60HP2.pdf?ci_sign=57f68a10a4049d6e85d2fc29f3bd9340fa0c1a22 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 90W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 670mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: Hi-PotMOS2
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P12F60HP2-5600 Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. P12F60HP2-5600
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P12F60HP2-5600 P12F60HP2-5600 Hersteller : Shindengen shins04489_1-2282233.pdf MOSFETs High Switching Speed High Voltage
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