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Technische Details P13LA10EL-5070 Shindengen
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W, Case: LA, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 52A, Power dissipation: 1.7W, Gate charge: 57nC, Polarisation: unipolar, Technology: EETMOS2, Drain current: 13A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 20mΩ.
Weitere Produktangebote P13LA10EL-5070
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| P13LA10EL-5070 | SHINDENGEN |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W Case: LA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 1.7W Gate charge: 57nC Polarisation: unipolar Technology: EETMOS2 Drain current: 13A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P13LA10EL-5070 |
|
Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 13A; Idm: 52A; 1.7W
Case: LA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: EETMOS2
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
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