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P30B10EL-5071

P30B10EL-5071 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A722300CB7C0C7&compId=P30B10EL.pdf?ci_sign=8da7027dd84c19db1edb4157d7e39faa4002ae4d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Technische Details P30B10EL-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W, Case: FB (TO252AA), Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 44W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 37nC, Technology: EETMOS2, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 90A, Drain current: 30A, Drain-source voltage: 100V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P30B10EL-5071 nach Preis ab 0.53 EUR bis 0.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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P30B10EL-5071 P30B10EL-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A722300CB7C0C7&compId=P30B10EL.pdf?ci_sign=8da7027dd84c19db1edb4157d7e39faa4002ae4d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Technology: EETMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 100V
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P30B10EL-5071 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13-1847360.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
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