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P50F10SN-5600

P50F10SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5C770F16220C7&compId=P50F10SN.pdf?ci_sign=c553b5dad864c1d3645c693821252a3d752a8e3a Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
50+1.43 EUR
57+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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Technische Details P50F10SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 51W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.7mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 114nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P50F10SN-5600 nach Preis ab 1.13 EUR bis 2.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P50F10SN-5600 P50F10SN-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5C770F16220C7&compId=P50F10SN.pdf?ci_sign=c553b5dad864c1d3645c693821252a3d752a8e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P50F10SN-5600 Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. P50F10SN-5600
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P50F10SN-5600 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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