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P5F60HP2-5600

P5F60HP2-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5BDC6989100C7&compId=P5F60HP2.pdf?ci_sign=004e922234030d7355dcddf253dac24f690fbcff Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
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Technische Details P5F60HP2-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Hi-PotMOS2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 5A, Pulsed drain current: 20A, Power dissipation: 65W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 15nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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P5F60HP2-5600 P5F60HP2-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5BDC6989100C7&compId=P5F60HP2.pdf?ci_sign=004e922234030d7355dcddf253dac24f690fbcff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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