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P600K

P600K Diotec Semiconductor

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Hersteller: Diotec Semiconductor
Diode Switching 800V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo
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Technische Details P600K Diotec Semiconductor

Description: DIODE STANDARD 800V 6A P600, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
P600K P600K Diotec Semiconductor p600a.pdf Diode Switching 800V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo
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P600K P600K Diotec Semiconductor p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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P600K P600K Diotec Semiconductor p600a.pdf Diode Switching 800V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo
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P600K P600K DIOTEC SEMICONDUCTOR p600a.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 6A; Ammo Pack; Ifsm: 400A; P600; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 0.4kA
Case: P600
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 60A
Reverse recovery time: 1.5µs
Leakage current: 10µA
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P600K P600K Diotec Semiconductor p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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P600K P600K Diotec Semiconductor p600a.pdf Rectifiers Diode, P600, 800V, 6A
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P600K LGE p600a.pdf 6A; 800V; packaging: ammo; P600K R6 LGE rectifier diode DP P600K q
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Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
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Type of diode: rectifying
Mounting: THT
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Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 0.4kA
Case: P600
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 60A
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Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
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Rectifiers Diode, P600, 800V, 6A
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6A; 800V; packaging: ammo; P600K R6 LGE rectifier diode DP P600K q
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