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P60B4EL-5071

P60B4EL-5071 SHINDENGEN

P60B4EL.pdf _Shindengen Catalogue 2020.pdf Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details P60B4EL-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 62.5W, Case: FB (TO252AA), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 57nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
P60B4EL-5071 P60B4EL-5071 Hersteller : SHINDENGEN P60B4EL.pdf _Shindengen Catalogue 2020.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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114+ 0.63 EUR
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P60B4EL-5071 Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. P60B4EL-5071
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P60B4EL-5071 P60B4EL-5071 Hersteller : Shindengen shindengen_F072_14a_pdf-2323367.pdf MOSFET 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
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