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P6B40HP2-5071 SHINDENGEN


_Shindengen Catalogue 2020.pdf Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details P6B40HP2-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Hi-PotMOS2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 6A, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 54W, Case: FB (TO252AA), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.05Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
P6B40HP2-5071 Hersteller : Shindengen MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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P6B40HP2-5071 Hersteller : SHINDENGEN _Shindengen Catalogue 2020.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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