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P6B40HP2-5071 Shindengen

Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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Technische Details P6B40HP2-5071 Shindengen

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Case: FB (TO252AA), Gate charge: 10nC, On-state resistance: 1.05Ω, Drain current: 6A, Pulsed drain current: 24A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 54W, Drain-source voltage: 400V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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P6B40HP2-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 6A; Idm: 24A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: FB (TO252AA)
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.05Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 400V
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