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P82F7R5SN-5600

P82F7R5SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C54E52182880C7&compId=P82F7R5SN.pdf?ci_sign=e8e7dc2402cce5f80a30f45339c518b5de26c12d Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details P82F7R5SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 82A, Pulsed drain current: 328A, Power dissipation: 58W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.8mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 168nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P82F7R5SN-5600 nach Preis ab 10.21 EUR bis 10.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P82F7R5SN-5600 P82F7R5SN-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C54E52182880C7&compId=P82F7R5SN.pdf?ci_sign=e8e7dc2402cce5f80a30f45339c518b5de26c12d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P82F7R5SN-5600 Hersteller : Shindengen MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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