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PBHV8115T,215

PBHV8115T,215 NXP Semiconductors

237pbhv8115t.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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Technische Details PBHV8115T,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : NXP Semiconductors 237pbhv8115t.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : Nexperia PBHV8115T.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 150V 1A NPN BISS TRANS
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8115T.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : NEXPERIA 2725629.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1614 Stücke:
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : NEXPERIA 2725629.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBHV8115T,215 Hersteller : NEXPERIA PBHV8115T.pdf PBHV8115T.215 NPN SMD transistors
auf Bestellung 1197 Stücke:
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363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : NEXPERIA pbhv8115t.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv8115t.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv8115t.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV8115T,215 PBHV8115T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8115T.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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