PBHV8115T,215 NXP Semiconductors
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| 3732+ | 0.15 EUR |
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Technische Details PBHV8115T,215 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBHV8115T,215 nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.27 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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PBHV8115T,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 150V 1A NPN BISS TRANS |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 10...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 10...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 30MHz |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBHV8115T,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW |
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