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Technische Details PBHV8115T-QR Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PBHV8115T-QR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PBHV8115T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PBHV8115T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PBHV8115T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBHV8115T-QR | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PBHV8115T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
PBHV8115T-QR NPN SMD transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBHV8115T-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |