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PBHV9115T-QR

PBHV9115T-QR Nexperia

PBHV9115T_Q-2938267.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T-Q/SOT23/TO-236AB
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Technische Details PBHV9115T-QR Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PBHV9115T-QR PBHV9115T-QR Hersteller : NEXPERIA 2720444.pdf Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBHV9115T-QR PBHV9115T-QR Hersteller : NEXPERIA 2720444.pdf Description: NEXPERIA - PBHV9115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
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Verlustleistung Pd: 300mW
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Übergangsfrequenz: 115MHz
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PBHV9115T-QR Hersteller : NEXPERIA pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23
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PBHV9115T-QR PBHV9115T-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: PBHV9115T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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