PBLS1504V,115 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A/0.5A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBLS1504V,115 NXP Semiconductors
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 15V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 280MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-666.
Weitere Produktangebote PBLS1504V,115 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.15 EUR
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PBLS1504V,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A/0.5A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R Automotive AEC-Q101 |
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PBLS1504V,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-666 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 15V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-666 |
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| PBLS1504V,115 | Hersteller : Philips |
PBLS1504V,115 |
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PBLS1504V,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
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