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PBRN113ZT-QR

PBRN113ZT-QR NEXPERIA


pbrn113zt-q.pdf Hersteller: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 40V 700mA 370mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBRN113ZT-QR NEXPERIA

Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 600mA, 5V, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBRN113ZT-QR PBRN113ZT-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PBRN113ZT-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 600mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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PBRN113ZT-QR PBRN113ZT-QR Hersteller : Nexperia PBRN113ZT_Q-2498451.pdf Digital Transistors PBRN113ZT-Q/SOT23/TO-236AB
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