PBRP113ET,215 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-236AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 0.49 EUR |
| 61+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details PBRP113ET,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRP113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBRP113ET,215 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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PBRP113ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 1966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |