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PBRP113ET,215

PBRP113ET,215 Nexperia

pbrp113et.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBRP113ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRP113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBRP113ET,215 PBRP113ET,215 Hersteller : Nexperia pbrp113et.pdf Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBRP113ET,215 PBRP113ET,215 Hersteller : Nexperia PBRP113ET.pdf Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB
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PBRP113ET,215 PBRP113ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBRP113ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PBRP113ET,215 PBRP113ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0011756740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBRP113ET,215 PBRP113ET,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0011756740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 570mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBRP113ET,215 Hersteller : NEXPERIA PBRP113ET.pdf PBRP113ET.215 PNP SMD transistors
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PBRP113ET,215 PBRP113ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBRP113ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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