PBRP113ET,215 Nexperia
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Technische Details PBRP113ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, Verlustleistung: 570mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRP113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V.
Weitere Produktangebote PBRP113ET,215 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PBRP113ET,215 | Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBRP113ET,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm Verlustleistung: 570mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBRP113ET,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 2760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBRP113ET,215 | Nexperia |
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 1966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBRP113ET,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm Verlustleistung: 570mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBRP113ET,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| PBRP113ET,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.51 EUR |
| 710+ | 0.3 EUR |
| 1129+ | 0.19 EUR |
| PBRP113ET,215 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 0.58 EUR |
| 61+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| PBRP113ET,215 |
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Hersteller: Nexperia
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB
Digital Transistors PBRP113ET/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.69 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 50+ | 0.29 EUR |
| PBRP113ET,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
Verlustleistung: 570mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PBRP113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 305+ | 0.82 EUR |
| 451+ | 0.51 EUR |
| 710+ | 0.3 EUR |
| 1129+ | 0.19 EUR |