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PBSS4130QAZ

PBSS4130QAZ Nexperia USA Inc.

PBSS4130QA.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details PBSS4130QAZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 190MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4130QAZ NXP Semiconductors PBSS4130QA.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 325mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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