Technische Details PBSS4160DS-QX Nexperia
Description: PBSS4160DS-Q/SOT457/SC-74, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 420mW, Current - Collector (Ic) (Max): 870mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 220MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Weitere Produktangebote PBSS4160DS-QX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| PBSS4160DS-QX | Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS4160DS-Q/SOT457/SC-74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 420mW Current - Collector (Ic) (Max): 870mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: 6-TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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PBSS4160DS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PBSS4160DS-QX | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS4160DS-QX |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PBSS4160DS-Q/SOT457/SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 870mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Description: PBSS4160DS-Q/SOT457/SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 870mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
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| PBSS4160DS-QX |
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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| PBSS4160DS-QX |
|
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 60V 1A 700000mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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