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PBSS4160PANP,115

PBSS4160PANP,115 Nexperia


929684704177682pbss4160panp.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
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Technische Details PBSS4160PANP,115 Nexperia

Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

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PBSS4160PANP,115 PBSS4160PANP,115 Hersteller : Nexperia 929684704177682pbss4160panp.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
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PBSS4160PANP,115 PBSS4160PANP,115 Hersteller : Nexperia PBSS4160PANP.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4160PANP/SOT1118/HUSON6
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PBSS4160PANP,115 PBSS4160PANP,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160PANP.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS4160PANP,115 PBSS4160PANP,115 Hersteller : NEXPERIA 929684704177682pbss4160panp.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
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PBSS4160PANP,115 Hersteller : NEXPERIA PBSS4160PANP.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP
Type of transistor: NPN / PNP
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PBSS4160PANP,115 PBSS4160PANP,115 Hersteller : Nexperia 929684704177682pbss4160panp.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R
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PBSS4160PANP,115 PBSS4160PANP,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160PANP.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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