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Technische Details PBSS4160QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PBSS4160QAZ nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PBSS4160QAZ | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V |
auf Bestellung 2393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.12 EUR |
| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4280+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.13 EUR |
| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2195+ | 0.3 EUR |
| 10000+ | 0.26 EUR |
| 100000+ | 0.21 EUR |
| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2195+ | 0.3 EUR |
| 10000+ | 0.26 EUR |
| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2195+ | 0.3 EUR |
| 10000+ | 0.26 EUR |
| 100000+ | 0.21 EUR |
| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.84 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |
| PBSS4160QAZ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.07 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 50+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |