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Technische Details PBSS4160QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PBSS4160QAZ nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.77 EUR
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PBSS4160QAZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q100 |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4160QA/SOT1215/DFN1010D-3 |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 85hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4160QAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q100 |
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