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PBSS4160T-QR Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS4160T-QR Nexperia

Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 270 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 220MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4160T-QR PBSS4160T-QR Nexperia pbss4160t-q.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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PBSS4160T-QR PBSS4160T-QR Nexperia PBSS4160T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
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