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PBSS4160T-QR

PBSS4160T-QR Nexperia


pbss4160t-q.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS4160T-QR Nexperia

Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 220MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 270 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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PBSS4160T-QR PBSS4160T-QR Hersteller : Nexperia pbss4160t-q.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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PBSS4160T-QR PBSS4160T-QR Hersteller : Nexperia PBSS4160T-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
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PBSS4160T-QR PBSS4160T-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160T-Q.pdf Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 270 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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