PBSS4230PANP,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.52 EUR |
| 22+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details PBSS4230PANP,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBSS4230PANP,115 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PBSS4230PANP,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V |
auf Bestellung 3459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS4230PANP,115 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.55 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| PBSS4230PANP,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
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Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| PBSS4230PANP,115 |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
tariffCode: 85412900
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)