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PBSS4230QAZ

PBSS4230QAZ Nexperia USA Inc.


PBSS4230QA.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details PBSS4230QAZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia 805300408711063pbss4230qa.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia 805300408711063pbss4230qa.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia 805300408711063pbss4230qa.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia 805300408711063pbss4230qa.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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4006+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4006
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia PBSS4230QA.pdf Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
auf Bestellung 7005 Stücke:
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4+0.79 EUR
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2500+0.26 EUR
5000+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : NEXPERIA PBSS4230QA.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : NEXPERIA PBSS4230QA.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16225 Stücke:
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia 805300408711063pbss4230qa.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4230QA.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
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PBSS4230QAZ PBSS4230QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4230QA.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
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