Technische Details PBSS4230QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 325mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBSS4230QAZ nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PBSS4230QAZ | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230QAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230QAZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230QAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4230QAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4230QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4006+ | 0.17 EUR |
| 10000+ | 0.14 EUR |
| PBSS4230QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4006+ | 0.17 EUR |
| PBSS4230QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4006+ | 0.17 EUR |
| PBSS4230QAZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 211+ | 1.19 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |
| PBSS4230QAZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 211+ | 1.19 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |