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PBSS4350T-QR

PBSS4350T-QR Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS4350T-Q/SOT23/TO-236AB
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Technische Details PBSS4350T-QR Nexperia

Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4350T-QR PBSS4350T-QR NEXPERIA PBSS4350T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1915 Stücke:
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PBSS4350T-QR
Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
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