Technische Details PBSS5130QAZ Nexperia
Description: TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 325 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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PBSS5130QAZ | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5130QAZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi |
auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS5130QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6264+ | 0.11 EUR |
| PBSS5130QAZ |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)