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PBSS5160QAZ

PBSS5160QAZ Nexperia

805128524417165pbss5160qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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Technische Details PBSS5160QAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Hersteller : Nexperia 805128524417165pbss5160qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Hersteller : Nexperia PBSS5160QA.pdf Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A PNP low VCEsat transistor
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5160QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Hersteller : Nexperia 805128524417165pbss5160qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5160QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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