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PBSS5160QAZ Nexperia


805128524417165pbss5160qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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Technische Details PBSS5160QAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Nexperia 805128524417165pbss5160qa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5160QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Nexperia PBSS5160QA.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5160QA/SOT1215/DFN1010D-3
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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Bipolar Transistors - BJT PBSS5160QA/SOT1215/DFN1010D-3
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