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PBSS5260QAZ

PBSS5260QAZ Nexperia

806152539805089pbss5260qa.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS5260QAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Nexperia 806152539805089pbss5260qa.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Nexperia PBSS5260QA.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
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PBSS5260QAZ PBSS5260QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5260QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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PBSS5260QAZ NXP Semiconductors PBSS5260QA.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBSS5260QAZ NEXPERIA PBSS5260QA.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5260QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBSS5260QAZ NXP Semiconductors PBSS5260QA.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
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PBSS5260QAZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.7A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 205000 Stücke:
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5260QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
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5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 55000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2060+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 2060 Stücke
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Trans GP BJT PNP 60V 1.7A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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