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PBSS5580PA,115 Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
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Technische Details PBSS5580PA,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Nexperia pbss5580pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
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