auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1216+ | 0.45 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PBSS5580PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBSS5580PA,115 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3 |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
PBSS5580PA,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A SOT1061 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Case: DFN2020-3; SOT1061 Current gain: 70...265 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 110MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |