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| 1355+ | 0.4 EUR |
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Technische Details PBSS5580PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBSS5580PA,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.25 EUR
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1061 80V |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 5156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5580PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PBSS5580PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Case: DFN2020-3; SOT1061 Kind of package: reel; tape Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 70...265 Frequency: 110MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP |
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