Produkte > NEXPERIA > PBSS5580PA,115
PBSS5580PA,115

PBSS5580PA,115 Nexperia

3160pbss5580pa.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3145+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PBSS5580PA,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote PBSS5580PA,115 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5580PA.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5580PA.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 9352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
28+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : Nexperia PBSS5580PA.pdf Bipolar Transistors - BJT 20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : NEXPERIA 182644863092272pbss5580pa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 PBSS5580PA,115 Hersteller : Nexperia 3160pbss5580pa.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 Hersteller : NEXPERIA PBSS5580PA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Case: DFN2020-3; SOT1061
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 70...265
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5580PA,115 Hersteller : NEXPERIA PBSS5580PA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Case: DFN2020-3; SOT1061
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 70...265
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH