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Technische Details PBSS5630PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBSS5630PA,115 nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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PBSS5630PA,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5630PA,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON |
auf Bestellung 1582393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5630PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5630PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 1575265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1100+ | 0.6 EUR |
| 10000+ | 0.52 EUR |
| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON
auf Bestellung 1582393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 730+ | 0.75 EUR |
| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 2.3 EUR |
| 176+ | 1.32 EUR |
| 273+ | 0.79 EUR |
| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 2.3 EUR |
| 176+ | 1.32 EUR |
| 273+ | 0.79 EUR |
| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 3429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1100+ | 0.6 EUR |
| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 1575265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1100+ | 0.6 EUR |
| 10000+ | 0.52 EUR |
| 100000+ | 0.43 EUR |
| PBSS5630PA,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1100+ | 0.6 EUR |