Produkte > NXP SEMICONDUCTORS > PBSS5630PA,115
PBSS5630PA,115

PBSS5630PA,115 NXP Semiconductors

PHGLS20651-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PBSS5630PA - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 1582394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2323+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2323
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PBSS5630PA,115 NXP Semiconductors

Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 2.1 W.

Weitere Produktangebote PBSS5630PA,115 nach Preis ab 0.34 EUR bis 0.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5630PA.pdf Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+0.72 EUR
29+ 0.62 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : NEXPERIA 437855668543544pbss5630pa.pdf Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia 437855668543544pbss5630pa.pdf Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5630PA.pdf Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
Produkt ist nicht verfügbar
PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia PBSS5630PA-2938393.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5630PA/SOT1061/HUSON3
Produkt ist nicht verfügbar