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Technische Details PBSS5630PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBSS5630PA,115 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 1575265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5630PA,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS5630PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1061 30V |
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