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PBSS5630PA,115

PBSS5630PA,115 Nexperia


2968pbss5630pa.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
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Technische Details PBSS5630PA,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: HUSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5630PA.pdf Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5630PA.pdf Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.09 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4240 Stücke:
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: HUSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBSS5630PA,115 Hersteller : NXP Semiconductors PBSS5630PA.pdf Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
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PBSS5630PA,115 Hersteller : NXP Semiconductors PBSS5630PA.pdf Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 1575265 Stücke:
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : NEXPERIA 437855668543544pbss5630pa.pdf Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia 2968pbss5630pa.pdf Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
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PBSS5630PA,115 PBSS5630PA,115 Hersteller : Nexperia PBSS5630PA-2938393.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5630PA/SOT1061/HUSON3
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