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PBSS8110T,215

PBSS8110T,215 Nexperia

pbss8110t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS8110T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : Nexperia pbss8110t.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS8110T.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : Nexperia pbss8110t.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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654+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : Nexperia PBSS8110T.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 100V
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10+0.45 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS8110T.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
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Mindestbestellmenge: 20
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5102E66A42469&compId=PBSS8110T.215.pdf?ci_sign=594f23a4915999c630b29138e8f55d1403d27275 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.48W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 100MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
79+0.92 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5102E66A42469&compId=PBSS8110T.215.pdf?ci_sign=594f23a4915999c630b29138e8f55d1403d27275 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.48W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 100MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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79+0.92 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : NEXPERIA 4578768.pdf Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : NEXPERIA 4578768.pdf Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Hersteller : NEXPERIA pbss8110t.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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