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PBSS8110T,215

PBSS8110T,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS8110T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Nexperia USA Inc. PBSS8110T.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
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6000+0.21 EUR
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Nexperia pbss8110t.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Nexperia pbss8110t.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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445+0.51 EUR
654+0.26 EUR
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 NEXPERIA PBSS8110T.215.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 0.48W
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 2500 Stücke:
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122+0.7 EUR
146+0.58 EUR
169+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 Nexperia USA Inc. PBSS8110T.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Power - Max: 480 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
50+0.48 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 NEXPERIA 4578768.pdf Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.95 EUR
210+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS8110T,215 PBSS8110T,215 NEXPERIA 4578768.pdf Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
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129+1.95 EUR
210+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.14 EUR
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Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.14 EUR
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1174+0.15 EUR
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3000+0.15 EUR
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Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 485800 Stücke:
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4150+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
100000+0.11 EUR
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
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auf Bestellung 150000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
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auf Bestellung 150000 Stücke:
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3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
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3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1174+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1174 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PBSS8110T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PBSS8110T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+0.51 EUR
654+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 0.48W
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+0.7 EUR
146+0.58 EUR
169+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Power - Max: 480 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
50+0.48 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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PBSS8110T,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.95 EUR
210+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS8110T,215 4578768.pdf
PBSS8110T,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.95 EUR
210+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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