PCDB1065G1_R2_00001 Panjit International Inc.
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
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Technische Details PCDB1065G1_R2_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 364pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote PCDB1065G1_R2_00001
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PCDB1065G1_R2_00001 | Panjit |
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PCDB1065G1-R2-00001 | Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-263/SKY/TO/SIC-100DWH |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PCDB1065G1_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO263 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 40A Leakage current: 50µA Max. forward impulse current: 0.55kA Kind of package: reel; tape |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PCDB1065G1_R2_00001 |
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Hersteller: Panjit
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2400 Stücke
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| PCDB1065G1-R2-00001 |
Hersteller: Panjit
Schottky Diodes & Rectifiers TO-263/SKY/TO/SIC-100DWH
Schottky Diodes & Rectifiers TO-263/SKY/TO/SIC-100DWH
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| PCDB1065G1_R2_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 40A
Leakage current: 50µA
Max. forward impulse current: 0.55kA
Kind of package: reel; tape
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