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PCDD08120G1_L2_00001

PCDD08120G1_L2_00001 Panjit

PCDD08120G1-2853851.pdf Hersteller: Panjit
SiC Schottky Diodes 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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Technische Details PCDD08120G1_L2_00001 Panjit

Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.

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PCDD08120G1_L2_00001 PCDD08120G1_L2_00001 Hersteller : Panjit International Inc. PCDD08120G1.pdf Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
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PCDD08120G1_L2_00001 PCDD08120G1_L2_00001 Hersteller : Panjit International Inc. PCDD08120G1.pdf Description: 1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 418pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
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