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PCDH4065CCG1_T0_00601

PCDH4065CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.

PCDH4065CCG1.pdf Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
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Technische Details PCDH4065CCG1_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC), Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.

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PCDH4065CCG1_T0_00601 PCDH4065CCG1_T0_00601 Hersteller : Panjit PCDH4065CCG1-2935970.pdf SiC Schottky Diodes 650V SiC Schottky Barrier Diode
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