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PCDP0665G1_T0_00001

PCDP0665G1_T0_00001 Panjit International Inc.

PCDP0665G1.pdf
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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Technische Details PCDP0665G1_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 6A, Capacitance @ Vr, F: 228pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

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PCDP0665G1_T0_00001 PCDP0665G1_T0_00001 Panjit PCDP0665G1-1957570.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC Schottky Barrier Diode
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