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Technische Details PCDP10120G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote PCDP10120G1_T0_00001 nach Preis ab 6.65 EUR bis 11.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PCDP10120G1_T0_00001 | Hersteller : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 529pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
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| PCDP10120G1_T0_00001 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
PCDP10120G1-T0 THT Schottky diodes |
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