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Technische Details PCDP20120G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote PCDP20120G1_T0_00001 nach Preis ab 11.33 EUR bis 22.51 EUR
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PCDP20120G1_T0_00001 | Hersteller : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1040pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V |
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| PCDP20120G1_T0_00001 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
PCDP20120G1-T0 THT Schottky diodes |
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PCDP20120G1-T0-00001 | Hersteller : Panjit | Schottky Diodes & Rectifiers TO-220AC/SIC/TO/SIC-200WH |
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