PD54008-E STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 400+ | 14.71 EUR |
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Technische Details PD54008-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5A; 26.7W; PowerSO10RF, Case: PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 26.7W, Drain current: 5A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V.
Weitere Produktangebote PD54008-E nach Preis ab 16.2 EUR bis 24.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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PD54008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 5A Frequency: 500MHz Power - Output: 8W Gain: 11.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 150 mA |
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PD54008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 25V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PD54008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5A; 26.7W; PowerSO10RF Case: PowerSO10RF Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 26.7W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V |
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