PD55003-E STMicroelectronics
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 12.22 EUR |
| 15+ | 9.6 EUR |
| 100+ | 8.78 EUR |
| 400+ | 8.43 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PD55003-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Electrical mounting: SMT, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of transistor: RF, Drain current: 2.5A, Output power: 3W, Open-loop gain: 17dB, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 31.7W, Drain-source voltage: 40V, Efficiency: 52%, Frequency: 500MHz, Case: PowerSO10RF, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PD55003-E nach Preis ab 8.43 EUR bis 16.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Electrical mounting: SMT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of transistor: RF Drain current: 2.5A Output power: 3W Open-loop gain: 17dB Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 40V Efficiency: 52% Frequency: 500MHz Case: PowerSO10RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Electrical mounting: SMT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of transistor: RF Drain current: 2.5A Output power: 3W Open-loop gain: 17dB Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 40V Efficiency: 52% Frequency: 500MHz Case: PowerSO10RF |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS |
auf Bestellung 6639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
PD55003-E Produktcode: 175999
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||
|
|
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
PD55003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 50 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |