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PD55003-E

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Produktcode: 175999
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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PD55003-E PD55003-E Hersteller : STMicroelectronics 941cd00103337.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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PD55003-E PD55003-E Hersteller : STMicroelectronics 941cd00103337.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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PD55003-E PD55003-E Hersteller : STMicroelectronics PD55003-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17dB
Efficiency: 52%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PD55003-E PD55003-E Hersteller : STMicroelectronics PD55003-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 31.7W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 3W
Electrical mounting: SMT
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PD55003-E PD55003-E Hersteller : STMicroelectronics en.CD00103337.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 3W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 50 mA
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PD55003-E PD55003-E Hersteller : STMicroelectronics en.CD00103337.pdf RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS
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36 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1341
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36 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 36 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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BC847C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1253
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BC847C.pdf
BC847C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: 8541210090
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180 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1233
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180 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 180 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1215
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RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1208
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 12307 St.:
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Anzahl Preis
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1000+0.0067 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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