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PD55003-E

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Transistoren > MOSFET N-CH

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PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics 941cd00103337.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
auf Bestellung 260 Stücke:
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PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics PD55003-E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.5A
Output power: 3W
Open-loop gain: 17dB
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31.7W
Drain-source voltage: 40V
Efficiency: 52%
Frequency: 500MHz
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PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics 941cd00103337.pdf Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics en.CD00103337.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 3W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 50 mA
auf Bestellung 113 Stücke:
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10+15.95 EUR
50+14.17 EUR
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PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics en.CD00103337.pdf RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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PD55003-E
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.5A
Output power: 3W
Open-loop gain: 17dB
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31.7W
Drain-source voltage: 40V
Efficiency: 52%
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 3W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 50 mA
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RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS
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Gehäuse: SOT-223
Transitfrequenz fT: 8,5 ГГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 24 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 24 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,08 А
Stromverstärkung h21: 95
Montage: SMD
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120pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (08055A121JAT2A-AVX) (Keramikkondensator SMD)
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Kapazität: 120 пФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
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36 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-36R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1341
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36 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-36R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 36 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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BC847C (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1253
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BC847C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
auf Bestellung 3657 St.:
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180 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-180K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1233
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180 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-180K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
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Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 7596 St.
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  • 4700 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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