PD55015S-E

PD55015S-E STMicroelectronics


en.CD00128612.pdf Hersteller: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.9 EUR
10+28.56 EUR
100+25.24 EUR
400+22.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PD55015S-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT, Power dissipation: 73W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Efficiency: 55%, Frequency: 500MHz, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of transistor: RF, Electrical mounting: SMT, Polarisation: unipolar, Drain current: 5A, Output power: 15W, Open-loop gain: 14dB.

Weitere Produktangebote PD55015S-E

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PD55015S-E en.CD00128612.pdf
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E PD55015S-E Hersteller : STMicroelectronics 538cd00128612.pdf Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E Hersteller : STMicroelectronics 538cd00128612.pdf Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E PD55015S-E Hersteller : STMicroelectronics en.CD00128612.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 15W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 150 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PD55015S-E Hersteller : STMicroelectronics en.CD00128612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF; SMT
Power dissipation: 73W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Efficiency: 55%
Frequency: 500MHz
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerSO10RF
Kind of package: tube
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Output power: 15W
Open-loop gain: 14dB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH