PD55025-E STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 47.29 EUR |
| 10+ | 39.02 EUR |
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| 400+ | 32.38 EUR |
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Technische Details PD55025-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF, Power dissipation: 79W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 7A.
Weitere Produktangebote PD55025-E nach Preis ab 39.16 EUR bis 48.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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PD55025-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 7A Frequency: 500MHz Power - Output: 25W Gain: 14.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 200 mA |
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PD55025-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PD55025-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD55025-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PD55025-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF Power dissipation: 79W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Kind of package: tube Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 7A |
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