PD55025S-E STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 25W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 200 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 7A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 25W
Gain: 14.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 200 mA
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250+ | 45.72 EUR |
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Technische Details PD55025S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -Hz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C.
Weitere Produktangebote PD55025S-E nach Preis ab 52.34 EUR bis 72.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PD55025S-E | Hersteller : STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
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PD55025S-E | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: -Hz euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: -Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C |
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PD55025S-E | Hersteller : STMicroelectronics | Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PD55025S-E | Hersteller : STMicroelectronics | Trans RF FET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
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PD55025S-E | Hersteller : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PD55025S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Drain current: 7A Open-loop gain: 14.5dB Output power: 25W Power dissipation: 79W Efficiency: 50% Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Frequency: 500MHz Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PD55025S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Drain current: 7A Open-loop gain: 14.5dB Output power: 25W Power dissipation: 79W Efficiency: 50% Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Frequency: 500MHz Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF |
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