Technische Details PD55025S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PD55025S-E nach Preis ab 37.1 EUR bis 73.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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PD55025S-E | STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PD55025S-E | STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF Current - Test: 200 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Technology: LDMOS Gain: 14.5dB Power - Output: 25W Frequency: 500MHz Current Rating (Amps): 7A Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Packaging: Tube |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PD55025S-E | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PD55025S-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PD55025S-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 43.26 EUR |
| PD55025S-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Current - Test: 200 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 14.5dB
Power - Output: 25W
Frequency: 500MHz
Current Rating (Amps): 7A
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tube
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Current - Test: 200 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 14.5dB
Power - Output: 25W
Frequency: 500MHz
Current Rating (Amps): 7A
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tube
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 51.36 EUR |
| 10+ | 41.55 EUR |
| 50+ | 37.64 EUR |
| 100+ | 37.1 EUR |
| PD55025S-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 54.41 EUR |
| 10+ | 42.11 EUR |
| 100+ | 39.58 EUR |
| 400+ | 38.18 EUR |
| PD55025S-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - PD55025S-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 73.09 EUR |
| 5+ | 62.02 EUR |
| 10+ | 51.84 EUR |
| 50+ | 46.93 EUR |