PD57018-E STMicroelectronics
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Technische Details PD57018-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Power dissipation: 31.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerSO10RF, Frequency: 945MHz, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PD57018-E nach Preis ab 31.6 EUR bis 53.03 EUR
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Verfügbarkeit |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 945MHz Power - Output: 18W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
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PD57018-E Produktcode: 176005
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Drain-source voltage: 65V Drain current: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Power dissipation: 31.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Frequency: 945MHz |
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