PD57018-E STMicroelectronics
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Technische Details PD57018-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Electrical mounting: SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerSO10RF, Kind of transistor: RF, Polarisation: unipolar, Drain current: 2.5A, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 31.7W, Drain-source voltage: 65V, Frequency: 945MHz.
Weitere Produktangebote PD57018-E nach Preis ab 31.6 EUR bis 53.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 945MHz Power - Output: 18W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
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PD57018-E Produktcode: 176005
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Kind of transistor: RF Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Open-loop gain: 16.5dB Output power: 18W Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 65V Frequency: 945MHz |
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