PD57018-E

PD57018-E STMicroelectronics


1486cd00098308.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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Technische Details PD57018-E STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 16.5dB, Output power: 18W, Power dissipation: 31.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerSO10RF, Frequency: 945MHz, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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PD57018-E PD57018-E Hersteller : STMicroelectronics en.CD00098308.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 2.5A
Frequency: 945MHz
Power - Output: 18W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 10-PowerSO
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
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PD57018-E PD57018-E Hersteller : STMicroelectronics pd57018_e-1849911.pdf RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor
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PD57018-E Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerSO10RF
Frequency: 945MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PD57018-E Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A265C0B460D2&compId=pd57018-e.pdf?ci_sign=9168b254d8573ad75203ef221c0db361c4aecb62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 16.5dB
Output power: 18W
Power dissipation: 31.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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