PD57018-E STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 36+ | 32.07 EUR |
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Technische Details PD57018-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 2.5A, Frequency: 945MHz, Power - Output: 18W, Gain: 16.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote PD57018-E nach Preis ab 25.57 EUR bis 48.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 945MHz Power - Output: 18W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER RF Transistor |
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PD57018-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57018-E Produktcode: 176005
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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