PD57018S-E STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
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Technische Details PD57018S-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 2.5A, Frequency: 945MHz, Power - Output: 18W, Gain: 16.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead), Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote PD57018S-E nach Preis ab 30.31 EUR bis 41.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PD57018S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 945MHz Power - Output: 18W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
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PD57018S-E Produktcode: 194768
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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PD57018S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
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| PD57018S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
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PD57018S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
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| PD57018S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerSO10RF Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 31.7W Drain-source voltage: 65V |
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