PD57060-E STMicroelectronics
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Technische Details PD57060-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C.
Weitere Produktangebote PD57060-E nach Preis ab 116.88 EUR bis 116.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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PD57060-E | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RFtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PD57060-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
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