PD57060-E STMicroelectronics
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| 50+ | 116.4 EUR |
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Technische Details PD57060-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PD57060-E | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - PD57060-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RFtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 1GHz Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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| PD57060-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57060-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57060-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD57060-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Frequency: 945MHz Drain-source voltage: 65V Drain current: 7A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.3dB Output power: 60W Power dissipation: 79W Efficiency: 54% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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.jpg "PD57060-E") |
PD57060-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 7A Frequency: 945MHz Power - Output: 60W Gain: 14.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
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PD57060-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF; SMT Frequency: 945MHz Drain-source voltage: 65V Drain current: 7A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 14.3dB Output power: 60W Power dissipation: 79W Efficiency: 54% Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PowerSO10RF |
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