PD85006-E STMicroelectronics
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Technische Details PD85006-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 2A, Frequency: 870MHz, Power - Output: 6W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 13.6 V, Current - Test: 200 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PD85006-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2A Frequency: 870MHz Power - Output: 6W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 200 mA |
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| PD85006-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic |
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