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PDTA114EQCZ

PDTA114EQCZ Nexperia USA Inc.

PDTA143_114_124_144EQC_SER.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details PDTA114EQCZ Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1412D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 360 mW, Frequency - Transition: 180 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114EQCZ PDTA114EQCZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQC_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 24970 Stücke:
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PDTA114EQCZ PDTA114EQCZ Hersteller : Nexperia PDTA143_114_124_144EQC_SER.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
auf Bestellung 9900 Stücke:
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8+0.39 EUR
13+0.23 EUR
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2500+0.076 EUR
5000+0.065 EUR
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PDTA114EQCZ PDTA114EQCZ Hersteller : Nexperia pdta143_114_124_144eqc_ser.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
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PDTA114EQCZ Hersteller : NEXPERIA pdta143_114_124_144eqc_ser.pdf PDTA114EQC/SOT8009/DFN1412D-3
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