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PDTA114ET,215

PDTA114ET,215 Nexperia

pdta114et.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PDTA114ET,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 11195
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
481+0.15 EUR
613+0.12 EUR
772+0.09 EUR
1060+0.07 EUR
1731+0.04 EUR
2476+0.03 EUR
3185+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 481
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
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Anzahl Preis
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613+0.12 EUR
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1060+0.07 EUR
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114ET.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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124+0.14 EUR
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500+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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PDTA114ET.215
Produktcode: 133123
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pdta114et.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 180 MHz
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,1 A
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia PDTA114ET.pdf Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
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Anzahl Preis
12+0.25 EUR
22+0.13 EUR
100+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2473 Stücke:
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : NEXPERIA pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
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PDTA114ET,215 Hersteller : Philips PDTA114ET.pdf PDTA114ET,215
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Anzahl Preis
11195+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11195
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PDTA114ET,215 Hersteller : NXP PDTA114ET.pdf Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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