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PDTA114ET.215

pdta114et.pdf
Produktcode: 133123
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Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 180 МГц
Spannung Uce, V: 50 В
Spannung Ucb, V: 50 В
Strom Ic, A: 0,1 А
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5682+0.03 EUR
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 NEXPERIA PDTA114ET.pdf PDTA114E_SERIES_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 10900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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596+0.14 EUR
848+0.1 EUR
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 NEXPERIA PDTA114ET.pdf PDTA114E_SERIES_8.pdf Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.36 EUR
1323+0.18 EUR
2110+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 172 Stücke
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PDTA114ET,215 PDTA114ET,215 Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114ET,215 Nexperia PDTA114ET.pdf PDTA114E_SERIES_8.pdf Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et
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PDTA114ET,215 Nexperia PDTA114ET.pdf PDTA114E_SERIES_8.pdf TRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 600 Stücke:
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PDTA114ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5682 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
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PDTA114ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 10900 Stücke:
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PDTA114ET,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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2110+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
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PDTA114ET,215 pdta114et.pdf
PDTA114ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PDTA114ET,215
Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
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PDTA114ET,215 PDTA114ET.pdf PDTA114E_SERIES_8.pdf
Hersteller: Nexperia
Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et
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Hersteller: Nexperia
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Транзистори
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