PDTA114ET.215
Produktcode: 133123
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
fT: 180 MHz
U, V: 50 V
U, V: 50 V
I, А: 0,1 A
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote PDTA114ET.215 nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 53900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114ET,215 | Hersteller : Philips |
PDTA114ET,215 |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114ET.215 | Hersteller : NXP |
Транзистор: PNP, биполярный, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PDTA114ET,215 | Hersteller : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Ptot, Вт = 0,25, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистор Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |