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PDTA114ET-QR

PDTA114ET-QR Nexperia


PDTA114ET-Q.pdf Hersteller: Nexperia
Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm
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Technische Details PDTA114ET-QR Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PDTA114ET-QR PDTA114ET-QR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
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PDTA114ET-QR PDTA114ET-QR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PDTA114ET-QR PDTA114ET-QR Hersteller : Nexperia pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PDTA114ET-QR Hersteller : NEXPERIA pdta114et.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PDTA114ET-QR Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET-Q.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
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PDTA114ET-QR PDTA114ET-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTA114ET-Q.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PDTA114ET-QR Hersteller : NEXPERIA PDTA114ET-Q.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
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